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氧化铝在智能手机抛光领域的运用
日期:2023-03-03    浏览次数:
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智能手机,作为二十一世纪最伟大的发明之一,它代表着人类科技的集大成之作,为无数人提供了各样的便利,丰富了我们的生活。 在小编眼里,它更是一个行走的抛光工艺展览。无数大师在抛光领域的奇思妙想在它身上体现的淋漓尽致。

氧化铝在智能手机抛光领域的运用

抛光是指利用机械、化学或电化学的作用,使工件表面粗糙度降低,以获得光亮、平整表面的加工方法。 一部手机,从外壳到前触摸屏幕,从内部的芯片到外部的摄像头,均需做抛光处理。 尽管不同部件,其抛光的具体的步骤不尽相同的,但相同点都是必须要用到研磨材料。

氧化铝又称为刚玉,莫氏硬度9,硬度很大,十分适合当研磨材料。氧化铝粉体制备工艺成熟,通过控制氧化铝的形貌可将其制为片状,其平整光滑的片形表面对于被磨对象(如半导体硅晶片,智能手机外壳等等)来说不易划伤,产品的合格品率可因此提高10%至15%。 所以,片状氧化铝已经成为了智能手机抛光领域的新宠。

外壳

一般的手机外壳材质有塑料材质、金属材质、3D玻璃材料、陶瓷材料等。其中属陶瓷与金属材料运用较广泛。

对于金属外壳的抛光,将片状氧化铝作为主要磨料是较好的选择

以经典的iPhone 6的金属外壳抛光为例 :

因为iPhone6手机铝合金外壳,是经过CNC精雕成型—研磨处理—高光—本色电镀—遮盖—阳极—退遮成一个完整的手机外壳面板,会留下CNC刀纹。

用白色抛光皮+氧化铝粗抛液,就可将CNC刀纹去除干净,使表面形成一个亚光面。

前触摸屏幕

一般手机的外屏幕都是一层很薄的钢化玻璃,而玻璃的的主要成分是Sio2(莫氏硬度7)。对屏幕的抛光虽也可以用氧化铝作为磨料,但市面上更常用的为氧化铈(CeO2)。 究其原因是氧化铈与氧化硅会发生化学反应,在玻璃表面产生含水的硅胶层、硅酸凝胶层,使得玻璃表面软化,从而容易被抛光。 但考虑到氧化铝磨料是比氧化铈磨料更硬且更便宜的存在,在一些情况下也将氧化铝配合氧化铈一起使用。

摄像头

氧化铝在智能手机抛光领域的运用

随着光学镜片及其光学系统技术的升级和功能的提升,传统的研磨及抛光方法,从精度和效率方面已不适应。

常用的光学镜片抛光法之一是浴法抛光:将工件和抛光盘都淹没在抛光液10~15mm中,通过搅拌器运作使抛光液处于悬浮状态,不产生沉淀。 其中一般将氧化铝和氧化铁作为抛光液的磨料。

下面用该法进行一次抛光实验

超精密抛光前的熔融石英光学元件


P-V(A)

RMS(A)

Ra(A)

平均

183.42

7.42

5.70

范围

2089.92

18.24

11.19

标准偏差

186.88

2.91

1.82


超精密抛光后的熔融石英光学元件


P-V(A)

RMS(A)

Ra(A)

平均

14.24

0.91

0.77

范围

2.26

0.03

0.21

标准偏差

1.14

0.02

0.06

可以明显对比得出表面粗糙度降低了。

芯片

如果将芯片看成一座大厦,晶圆就是这座大厦的地基。而这座“地基”也是需要经过一系列高精密抛光的。

氧化铝在智能手机抛光领域的运用

为什么常将氧化铝作为抛光晶圆时的磨料呢?

一方面因为可将氧化铝粉制为平板状,研磨时颗粒贴合工件表面,产生滑动的研磨效果,研磨压力均匀分布在颗粒表面,颗粒不易破碎,从而提高了研磨效率和表面光洁度,对于半导体材料如晶圆,片状氧化铝粉的应用,可以减少磨削时间,大幅提高研磨效率,减少磨片机的损耗,节省人工和磨削成本,将成品率提升在90%以上。

另一方面当被抛光对象是碳化硅晶圆(莫氏硬度9.2)时,就不能使用硅溶胶抛光液或者较为柔软的氧化铈抛光液。 此时使用氧化铝抛光液是一个较为理想的选择:因为氧化铝经过特殊的制备法可将硬度提高到9.2以上,在此基础上还能将粒径控制在100nm-150nm范围内,使得碳化硅晶圆得以抛光至埃级的平整度。

片状氧化铝的制备方法

片状α-Al2O3常见的制备方法有水热法、高温固相法、涂膜法和熔盐法等[1-4]。 其中,熔盐法主要是以硫酸铝、硫酸铝钾、氢氧化铝等铝盐作为铝源,以硫酸钠、硫酸钾、氯化钠和氯化钾等一种或几种熔盐为反应介质,通过高温煅烧来制备片状 α-Al2O3,一些制备方法中还添加了磷酸盐、二氧化硅或二氧化钛等添加剂[5-6],以加快反应速率或获得更好的形貌。熔盐法具有反应周期短、晶体形貌可控、工艺简单等优点,但是目前采用熔盐法制备片状α-Al2O3 的煅烧温度一般为 1200 ℃,保温时间为 3~5 h,制备条件相对苛刻,制备工艺需要进一步优化。

下面介绍一种优化后实验室中的片状氧化铝制备法

分别称取 4.5 g 氯化钠和氯化钾、2 g 氢氧化铝和一定量的氟化铝于研钵中,研磨混合均匀。然后,将样品放入鼓风干燥箱,于 120 ℃干燥 3 h,结束后取出样品并转移至氧化铝坩埚,随后放入箱式电阻炉中,以升温速率为 9 ℃/min 升至设置温度(700~1000 ℃)后保温一段时间(30~180 min)。待样品冷却至室温,取出坩埚,将坩埚内的样品转移至烧杯中, 向烧杯中加入水,放入超声波清洗机进行超声分散溶解,待完全溶解,静置 6~8 h 后去除上清液,如此反复 3 次。最后,将获得样品放入鼓风干燥箱进行干燥,干燥完成即得到片状α-Al2O3 样品。

多次实验结果表明,当氟化铝与氢氧化铝的质量百分比为 5%、保温时间为 180 min、煅烧温度在 750 ℃及以上时,制备出径向尺寸约为 5.1 μm、厚度约为 280 nm、径厚比约为 18 的多边形片状 α-Al2O3。 此反应体系中,氟化铝的存在加速了反应的进行,在保温时间为 180 min 的条件下,使得片状 α-Al2O3 的煅烧温度由 1200 ℃降低至 750 ℃,优化了熔盐法制备片状氧化铝的工艺,极大地降低了能耗,为片状 α-Al2O3 的低碳绿色制备提供了一条新的途径。[7]


参考文献

[1] 杨岚婷,王兆文,杨酉坚,等.以粉煤灰为原料制备用于导热填料的板片状氧化铝[J].轻

金属,2022(2):1-4,13. YANG Lanting,WANG Zhaowen,YANG Youjian,et al.Preparation of plate-like alumina used as thermal conductive filler from fly ash[J].Light Metals,2022(2):1-4,13.

[2] 孙敬会,卿培林.高温固相法制备片状氧化铝[J].中国陶瓷,2021,57(12):34-38,

52. SUN Jinghui,QING Peilin.Preparation of flake aluminum oxide powder by high temperature

solid phase method[J].China Ceramics,2021,57(12):34-38,52.

[3] 孙敬会,伊家飞,徐敬尧,等.基于薄膜技术制备超细片状氧化铝的研究[J].真空科

学与技术学报,2018,38(12):1080-1087. SUN Jinghui,YI Jiafei,XU Jingyao,et al.Preparation of ultrafine lamellate alumina powder

via chemical route[J].Chinese Journal of Vacuum Science and Technology,2018,38(12):

1080-1087.

[4] ZHANG Qianying,GENG Xun.Preparation of flaky alumina powder by molten salt synthesis

method[J].Advanced Materials Research,2014,997:428-432.

[5] 张鹤,邵国强,史和邦,等.片状氧化铝的熔盐法制备关键参数[J].化工进展,2021,

40(8):4187-4195. ZHANG He,SHAO Guoqiang,SHI Hebang,et al.Key parameters of preparing flake alumina by molten salt method[J].Chemical Industry and Engineering Progress,2021,40(8):4187-4195.

[6] MIAO Zhuang,SHI Jiangong,ZHANG Wenping,et al.Effect of NH4F and nano-SiO2 on

morphological control of α-Al2O3 platelets via solid-state reaction[J].China Petroleum

Processing & Petrochemical Technology,2016,18(4):19-24.

[7]徐敬尧,周小丽,孙敬会,曹阿林,卿培林.基于复合熔盐低温制备片状α-氧化铝的研究[J/OL].无机盐工业:1-9[2023-01-13].DOI:10.19964/j.issn.1006-4990.2022-0233.

 

粉体圈  西格玛

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